Analizador de transistores BJT y MOSFET

¿Qué se hizo?

En colaboración con Miguel Rendon, se desarrolló un instrumento virtual en LabVIEW orientado a la obtención de parámetros eléctricos y curvas características de transistores BJT y MOSFET. El sistema integra hardware de adquisición de datos (DAQ) y una interfaz gráfica para facilitar la caracterización automatizada y precisa de los dispositivos semiconductores.

¿Cómo se hizo?

Se diseñó una arquitectura modular en LabVIEW, fundamentada en una máquina de estados orientada a eventos. Esta estructura permitió la implementación de barridos automáticos de señales, el cálculo preciso de parámetros eléctricos y la visualización de curvas características. El sistema gestiona el hardware de adquisición de datos (DAQ), posibilita mediciones simultáneas y exporta los resultados en formatos TDMS para un análisis eficiente y trazabilidad de los datos obtenidos.

Resultados obtenidos

El sistema desarrollado permite la medición y visualización automática de parámetros fundamentales de transistores BJT, tales como IC, IB, IE, VBE, VCE, ICSAT y HFE, así como la generación de curvas características I-V, incluyendo IC/VCE, IC/VBE y HFE/IC. Para transistores MOSFET, el instrumento facilita la obtención de parámetros como ID, ID_ON, VDS_ON, VGS, VRD, ICSAT y VRDS_ON. El dispositivo proporciona información precisa y confiable para conocer las características y propiedades eléctricas reales de distintos transistores para el diseño de diversos circuitos.